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墨記 ? 來源(yuan)︰電子發燒友網 ? 作者︰張慧娟(juan) ? 2020-04-05 23:41 ? 次閱讀(du)
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抗gou)饕 qing)的硬(ying)仗還沒(mei)打完,疫後重建的硬(ying)仗已(yi)經(jing)打響(xiang)了,動力(li)就是“新(xin)基建”。什(shi)麼是“新(xin)基建”?覆(fu)蓋7大領域︰5G基建、特高壓、城際高鐵(tie)和(he)城際軌(gui)道交通、新(xin)能源(yuan)汽車充電樁(zhuang)、大數據中心、人(ren)工智能、工業(ye)互(hu)聯網。

事(shi)實上,“新(xin)基建”並不是一個新(xin)概(gai)念,早在2018年(nian)底召開(kai)的中央經(jing)濟工作會議上就明確了5G、人(ren)工智能、工業(ye)互(hu)聯網、物聯網等“新(xin)型基礎設施建設”的定位,隨(sui)後“加強(qiang)新(xin)一代信息基礎設施建設”被列入2019年(nian)政府(fu)工作報告。2020年(nian)開(kai)年(nian)的首場國務院常(chang)務會議也明確提出,大力(li)發展先進制造業(ye),出台信息網絡等新(xin)型基礎設施投資支持政策,推(tui)進智能、綠(lv)色制造。
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數字經(jing)濟的發展gu)li)不開(kai)5G、大數據、人(ren)工智能、雲計算(suan)等新(xin)技術的支撐。這些既是基礎設施,又是新(xin)興產業(ye),一頭連(lian)著巨大的nai)蹲視(shi)冑棖qiu),一頭牽著不斷升級的消(xiao)費市場,必將成為中國經(jing)濟增長的新(xin)引擎。

七大“新(xin)基建”背後的半導ji)寤/strong>

過(guo)去的一年(nian),受(shou)全(quan)球貿易波動、半導ji)逯斬瞬返邸 悄蓯只恐鸞??he)等因(yin)素的影(ying)響(xiang),半導ji)逍幸ye)僅出現(xian)微弱增長,一些細分領域甚至出現(xian)負增長。但(dan)是,2020年(nian)半導ji)逭zheng)體大環境將出現(xian)轉機,5G、新(xin)能源(yuan)汽車、大數據、人(ren)工智能等七大“新(xin)基建”,將為半導ji)逍幸ye)的復(fu)甦帶來轉機。
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首先看5G基建。自 2019 年(nian)工信部 5G 商用啟(qi)動以(yi)來,三(san)大運營商在全(quan)國的基站建設腳步不斷加快(kuai)。近來,中國移(yi)動表示今(jin)年(nian)建設30萬個5G基站的na)勘瓴槐洌 泄  he)中國電信將力(li)爭(zheng)前(qian)三(san)季度(du)完成全(quan)年(nian)25萬基站的建設目標。業(ye)界預測(ce),2020年(nian)我國建設5G基站70萬座,2024年(nian)共建設554萬座。對(dui)半導ji)逍幸ye)來說,除了5G通信網絡的建設為其帶來了大量kang)鬧邢掠you)的新(xin)增需求(qiu)之外(wai),也成為2020年(nian)半導ji)迨諧』hui)暖的主要動力(li)。
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5G終端市場方面,多類型終端形態的持續推(tui)出有利于(yu)打造5G全(quan)場景新(xin)生態,終端設備市場規模今(jin)年(nian)將出現(xian)新(xin)一輪增長。根據賽迪顧問年(nian)初的預測(ce),隨(sui)著終端市場的進一步打開(kai),5G基帶芯片和(he)射頻芯片等關鍵元(yuan)器件(jian)的需求(qiu)將大幅上升。細分環節方面,為降低(di)終端體積、改善終端功耗,5G終端基帶芯片將持續向(xiang)高集成度(du)的SoC芯片方向(xiang)發展;在央地聯動的政策引導與(yu)鼓勵下,華為海(hai)思、紫光展銳(rui)、卓勝微、中興微電子等國內企業(ye)有望(wang)切入中高端射頻芯片領域。
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工業(ye)互(hu)聯網的驅動力(li)也不容忽視(shi),它與(yu)5G更像(xiang)是“你中有我,我yi)杏心恪鋇淖刺 2煌 yu)4G時代之前(qian)以(yi)人(ren)為本的路(lu)線(xian),5G最根本的區(qu)別(bie)就在于(yu)工業(ye)場景。5G、邊緣計算(suan)、大數據、超(chao)高清(qing)視(shi)頻、AR/VR等先進技術有望(wang)在工業(ye)領域融合(he)發展。工業(ye)和(he)信息化(hua)部部長苗圩就曾指(zhi)出,未來80%的5G應用場景會在工業(ye)互(hu)聯網。不過(guo),在這個巨大的市場機遇面前(qian),國內半導ji)宄 淘詿 li)器、傳(chuan)感(gan)器、微控制器、通信芯片和(he)功率(lv)半導ji)宓群(qun)誦鈉骷jian)方面仍主要集中在中低(di)端市場,模擬芯片方面幾乎被國際巨頭壟斷,這是既須正(zheng)視(shi)的現(xian)實,也是努(nu)力(li)的方向(xiang)。
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大數據中心、人(ren)工智能,這兩個動因(yin)將對(dui)半導ji)?ye)帶來密不可分的影(ying)響(xiang)。大數據中心的建設,將加大對(dui)服務器、存(cun)儲設備、網絡設備、安全(quan)設備、光模塊等需求(qiu)。基礎半導ji)宕cun)儲技術需要加速創新(xin),特別(bie)是NAND和(he)DRAM的可擴展性。存(cun)儲器生產和(he)消(xiao)費之間的差距、降低(di)對(dui)國外(wai)存(cun)儲器件(jian)的依(yi)賴、新(xin)興應用的存(cun)儲需求(qiu)等,都需要政府(fu)與(yu)企業(ye)凝力(li)推(tui)進,為下一代存(cun)儲技術的發展做好準備。
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人(ren)工智能涉(she)及大量kang)氖荽 li)任務,對(dui)于(yu)算(suan)力(li)的巨大需求(qiu),引爆(bao)了國內半導ji)宕匆ye)熱潮的nai) 幣泊蔥xin)一輪zhi)淶萊chao)車的機遇。相較于(yu)CPU一枝獨秀的na)甏 kai)放的研(yan)究生態,多樣化(hua)的技術路(lu)線(xian),CPU、GPUFPGAASIC、類腦芯片等共同推(tui)動著AI算(suan)力(li)的架構創新(xin)。值得一提的是,5G、IoT與(yu)AI在邊緣、端側(ce)的融合(he)發展,將進一步推(tui)進邊緣di)評li)半導ji)逍酒 諧」婺5腦齔?8檬諧 蠢吹木赫zheng)將更加激烈(lie),除了計算(suan)芯片本身,在軟件(jian)工具(ju)、制程封裝、存(cun)儲、互(hu)聯、安全(quan)等方面,全(quan)棧式的na)芰li)將變得越來越重要。除了海(hai)思、紫光展銳(rui)、中星微這些資深(shen)玩家,造芯新(xin)勢力(li)也在迅(xun)速崛起,甚至不乏阿里、百度(du)、格力(li)、比亞迪這樣的跨界選手。
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人(ren)工智能也在推(tui)動先進制程的加速演(yan)進。據IBS預測(ce),到2025年(nian),全(quan)球10nm/7nm 制程 晶圓代工出貨量將達220萬片,相比目前(qian)翻了一番。為滿足各類AI創新(xin)應用、海(hai)量數據傳(chuan)輸,以(yi)及算(suan)法演(yan)進需求(qiu),芯片效能在不斷提高的nai) 保 貢匭虢檔di)成本,極紫外(wai)光(EUV)等技術未來將扮(ban)演(yan)更為關鍵的角色。
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特高壓、城際交通、新(xin)能源(yuan)汽車的發展,無疑將共同驅動第三(san)代功率(lv)半導ji)宓募鈾俜 埂T詿chuan)統電網的升級、高速列車、新(xin)能源(yuan)汽車的核心動力(li)系di)持校 夜 溝(gou)諶san)代半導ji)宓玫攪斯藝(yi)叩鬧?鄭 俏夜迪xian)產業(ye)戰略升級和(he)低(di)碳經(jing)濟的重要途(tu)徑,將SiC等第三(san)代半導ji)?牧掀骷jian)用于(yu)電機驅動等環節將大幅提高功率(lv)密度(du)並降低(di)整(zheng)體成本。迄(qi)今(jin)為止,我國已(yi)有四條4/6英(ying)寸SiC生產/中試線(xian)和(he)三(san)條GaN生產/中試線(xian)相繼(ji)投du)朧褂茫  誚 喔 yu)第三(san)代半導ji)逑喙氐難yan)發中試平台。國產化(hua)的單晶襯底、外(wai)延片所佔市場份額不斷擴大,國產化(hua)的SiC二(er)極管和(he)MOSFET開(kai)始(shi)進入市場。不過(guo),在頭部廠商取得成績的背後,我國整(zheng)體實力(li)和(he)產業(ye)化(hua)能力(li)的提升,有待進一步加強(qiang)。

如何(he)看待“新(xin)基建”對(dui)半導ji)宓睦  ?Γ/strong>

如何(he)看待“新(xin)基建”的驅動效應?筆者認為,除了對(dui)經(jing)濟的拉動作用,“新(xin)基建”給(gei)了中國硬(ying)科技創新(xin)更大的發揮空間,從(cong)底層基礎技術支撐上將塑(su)造新(xin)的國際競爭(zheng)優(you)勢。
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今(jin)年(nian)是全(quan)面建成小康(kang)社會和(he)“十三(san)五”規劃收官(guan)之年(nian),要努(nu)力(li)實現(xian)全(quan)年(nian)經(jing)濟社會發展目標任務,必須發揮好有效投資關鍵作用。從(cong)拉動經(jing)濟增長需求(qiu)而言,七大“新(xin)基建”勢必要挑起大梁。從(cong)疫情(qing)爆(bao)發以(yi)來,人(ren)工智能、大數據、5G等都已(yi)發揮出積極的作用,有望(wang)在疫情(qing)刺激下加速推(tui)進。
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那麼,又zhi)萌綰he)看待“新(xin)基建”對(dui)我國半導ji)?ye)的影(ying)響(xiang)?作為關鍵核心技術支撐,一方面,新(xin)基建將帶來大量新(xin)增需求(qiu)。同時,基于(yu)自主可控的要求(qiu),“新(xin)基建”有望(wang)引導我國半導ji)?ye)進入新(xin)一輪發展周期。
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2020年(nian),國產替代會繼(ji)續成為國內半導ji)?ye)發展gou)鬧饗xian),且yi)韉計笠ye)可能從(cong)華為等代表企業(ye)擴大到更多的國產系di)吵 蹋 迪xian)替代的產品也將從(cong)中低(di)端升級到存(cun)儲、模擬、射頻等更多戰略級通用mei)蚋嗔看竺婀愕母叨瞬飛(fei)稀br />?
其次,除了半導ji)逕杓隻方冢 鈾俳 li)完整(zheng)、獨立(li)自主核心技術的國產半導ji)騫?ye)體系是大勢所趨(qu),需要代工、封裝、測(ce)試以(yi)及配套設備、材料等更多環節的協同發展。

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的��nai)廢��xiang) 獨愛(ai)72H 發表于(yu) 04-05 08:34 ? 610次 閱讀(du)
5G網絡的到來,它會對(dui)我們的生活有什(shi)麼��cong)��ying)響(xiang)

www.2237.com【实力雄厚】www.88zz.cc新(xin)冠疫情(qing)當下,大數據技術能為我們做些什(shi)麼

大數據是門系di)逞?疲 yu)數據,核心是數學算(suan)法,通過(guo)一些成熟平台架構組件(jian),完成人(ren)們對(dui)數據的使用。
的��nai)廢��xiang) 獨愛(ai)72H 發表于(yu) 04-05 08:26 ? 1084次 閱讀(du)
新(xin)冠疫情(qing)當下,大數據技術能為我們做些什(shi)麼

未來5G網絡中的智能邊緣計算(suan)將會如何(he)發展

人(ren)工智能一直是移(yi)動網絡中的重要組成部分。隨(sui)著5G 以(yi)及邊緣計算(suan)技術的發展,對(dui)人(ren)工智能的需求(qiu)將變得愈發....
發表于(yu) 04-03 20:40 ? 294次 閱讀(du)
未來5G網絡中的智能邊緣計算(suan)將會如何(he)發展

面向(xiang)新(xin)基建,智能倉儲的三(san)個核心問題

在新(xin)基建大勢之下,物流和(he)供應鏈在智能化(hua)軌(gui)道上向(xiang)智能物流、智能供應鏈情(qing)境的升級發展,及其在現(xian)代化(hua)前(qian)景中....
的��nai)廢��xiang) 獨愛(ai)72H 發表于(yu) 04-03 19:33 ? 889次 閱讀(du)
面向(xiang)新(xin)基建,智能倉儲的三(san)個核心問題

紫光國微在中國的地位最具(ju)潛力(li)的安全(quan)芯片領導者

有人(ren)問紫光國微在中國的地位,這個問題真不好mei)卮da),還是匯總了一些報道,大家一起來看看吧(ba)。
發表于(yu) 04-03 18:58 ? 1432次 閱讀(du)
紫光國微在中國的地位最具(ju)潛力(li)的安全(quan)芯片領導者

5G想(xiang)要達到最高速率(lv),就必須使用毫米波技術

5G定義(yi)了三(san)大應用場景———增強(qiang)型移(yi)動寬帶、關鍵業(ye)務型服務和(he)海(hai)量物聯網,但(dan)是與(yu)5G相關的第一個標準版(ban)....
的��nai)廢��xiang) 獨愛(ai)72H 發表于(yu) 04-03 17:42 ? 892次 閱讀(du)
5G想(xiang)要達到最高速率(lv),就必須使用毫米波技術

毫米波推(tui)進勢在必行,未來將開(kai)拓(tuo)更多場景

5G手機在2020年(nian)會進行飛(fei)速的普(pu)及,5G手機的大規模普(pu)及自然也能夠(gou)進一步加快(kuai)5G產業(ye)的部署(shu)。在eM....
的��nai)廢��xiang) 獨愛(ai)72H 發表于(yu) 04-03 17:38 ? 327次 閱讀(du)
毫米波推(tui)進勢在必行,未來將開(kai)拓(tuo)更多場景

半導ji)灞淞髕饔τ玫莢虻墓冶曜濟mian)費yan)略/a>

本文檔的主要內容詳細介紹的是qian)氳繼(ji)灞淞髕饔τ玫莢虻墓冶曜濟mian)費yan)略亍/div>
發表于(yu) 04-03 17:33 ? 28次 閱讀(du)
半導��ji)灞淞髕饔τ玫莢虻墓��冶曜濟��mian)費��yan)略�� /> </a></div><div class=

三(san)星率(lv)先支持5G超(chao)級SIM卡(ka),三(san)星S20系列搶佔市場先機

近日,北京移(yi)動與(yu)紫光國微共同宣(xuan)布5G超(chao)級SIM卡(ka)正(zheng)式上市,這是移(yi)動首次開(kai)售(shou)5G超(chao)級SIM卡(ka),北京移(yi)動....
的��nai)廢��xiang) 牽手一起夢 發表于(yu) 04-03 17:23 ? 490次 閱讀(du)
三(san)星率(lv)先支持5G超(chao)級SIM卡(ka),三(san)星S20系列搶佔市場先機

以(yi)一敵三(san)的商業(ye)智能BI是怎樣成功出圈的?

論分析(xi)能力(li),海(hai)量數據的分析(xi)挖掘眨眼(yan)間完成,不同瀏覽者都ji)芑竦米約合(he)xiang)要的分析(xi)報表;論數據展示,圖(tu)形化(hua)分析(xi)報表讓人(ren)一眼(yan)看懂(dong),...
發表于(yu) 04-03 17:03 ? 123次 閱讀(du)
以(yi)一敵三(san)的商業(ye)智能BI是怎樣成功出圈的?

中國電信攜手海(hai)思和(he)長虹打造5G機器視(shi)覺方案

智能制造是5G新(xin)基建的核心應用領域,通過(guo)5G工業(ye)模組賦能傳(chuan)統制造行業(ye)成為眾多企業(ye)“5G+智能制造”的....
的��nai)廢��xiang) 汽車di)婕 發表于(yu) 04-03 17:02 ? 882次 閱讀(du)
中國電信攜手海(hai)思和(he)長虹打造5G機器視(shi)覺方案

高通︰毫米波技術在5G完整(zheng)體驗中必不可少

高通舉辦了一場5G的未來媒體分享(xiang)會,Qualcomm中國區(qu)研(yan)發負責人(ren)徐(xu)??博(bo)士與(yu)我們qian)窒xiang)了高通對(dui)未來5....
的��nai)廢��xiang) 牽手一起夢 發表于(yu) 04-03 16:53 ? 493次 閱讀(du)
高通︰毫米波技術在5G完整(zheng)體驗中必不可少

物聯網如何(he)促進家ye)綾淶寐lv)色節能

作為對(dui)家ye)綺ye)發展影(ying)響(xiang)較大的兩大技術,5G、物聯網所具(ju)備的應用價值無疑是多元(yuan)且豐(feng)富的。
發表于(yu) 04-03 16:52 ? 316次 閱讀(du)
物聯網如何(he)促進家��ye)綾淶寐��lv)色節能

www.z6199.com【实力雄厚】www.4625.comAI數據服務野(ye)蠻生長後是怎樣的

隨(sui)著科技技術不斷更新(xin)迭(die)代,企業(ye)變革的方向(xiang)已(yi)由信息化(hua)向(xiang)智能化(hua)發展,而在此過(guo)程中,如何(he)獲取數據成為最重要....
發表于(yu) 04-03 16:40 ? 221次 閱讀(du)
AI數據服務野(ye)蠻生長後是怎樣的

勁勝智能高端智能裝備生產滿負荷

值得注意的是,此前(qian)勁勝智能的業(ye)績受(shou)行業(ye)景氣度(du)下滑等因(yin)素的影(ying)導致虧(kui)損,直至2019年(nian),才因(yin)業(ye)務轉型有所....
的��nai)廢��xiang) 汽車di)婕 發表于(yu) 04-03 16:37 ? 298次 閱讀(du)
勁勝智能高端智能裝備生產滿負荷

半導ji)逯呂淦饔惺shi)麼cong)you)點?

半導ji)邐虜鈧呂涫牆 li)在法國物理(li)學家Peltien帕爾帖(tie)效應(即溫差效應)基礎上的具(ju)體應用。當電流流經(jing)兩種(zhong)不同性質的導ji)逍緯山擁..
發表于(yu) 04-03 09:02 ? 77次 閱讀(du)
半導��ji)逯呂淦饔惺��shi)麼��cong)��you)點?

半導ji)逯評漵惺shi)麼cong)you)缺點?

半導ji)逯評淶幕li)主要是電荷載體在不同的材料xian)寫τyu)不同的na)芰考叮 諭wai)電場的作用下,電荷載體從(cong)高能級的材料向(xiang)低(di)能級的材料運動...
發表于(yu) 04-03 09:02 ? 62次 閱讀(du)
半導��ji)逯評漵惺��shi)麼��cong)��you)缺點?

大數據在物流行業(ye)有怎麼樣的應用

http://file.elecfans.com/web1/M00/B9/BA/pIYBAF6G_F....
發表于(yu) 04-03 08:00 ? 29次 閱讀(du)
大數據在物流行業(ye)有怎麼樣的應用

微信半導ji)迦qun)

轉眼(yan)間2020年(nian)已(yi)經(jing)過(guo)去一個季度(du)了,冬天說走(zou)就走(zou),春天也沒(mei)停留。各行各業(ye)的工作多多少少都受(shou)到疫情(qing)影(ying)響(xiang)。悄悄地問shi)瘓洌 nin)的事(shi)業(ye)...
發表于(yu) 03-28 12:16 ? 404次 閱讀(du)
微信半導��ji)迦��qun)

請問怎麼單片機怎麼控制半導ji)迤 牡緦鞣較xiang)?

畢業(ye)設計的要求(qiu)是用單片機設計一個溫度(du)測(ce)量kang)緶lu),通過(guo)測(ce)量kang)玫降奈露du)去控制半導ji)迤 牡緦鞣較xiang),從(cong)而達到控制兩面的溫度(du)!這個要...
發表于(yu) 03-25 00:26 ? 45次 閱讀(du)
請問怎麼單片機怎麼控制半導��ji)迤 牡緦鞣較��xiang)?

www.yh662.com【实力雄厚】www.0967.bet大數據實時分析(xi)領域的ClickHouse

ClickHouse大數據實時分析(xi)領域的黑(hei)馬
發表于(yu) 03-24 11:09 ? 67次 閱讀(du)
大數據實時分析(xi)領域的ClickHouse

【戰疫專題】kang)諼迤冢褐腔畚 鰨  qing)之中顯擔當

2020年(nian),新(xin)型冠狀病(bing)毒席卷了整(zheng)個中國,同時也在促進著產業(ye)的變革與(yu)生活變化(hua)。電子發燒友在此期間推(tui)出【戰疫專題】活動,持續為...
發表于(yu) 03-18 11:00 ? 2108次 閱讀(du)
【戰疫專題】��kang)諼迤冢褐腔畚 鰨  ��qing)之中顯擔當

人(ren)工智能、數據挖掘、機器學習和(he)深(shen)度(du)學習的關系

人(ren)工智能、數據挖掘、機器學習和(he)深(shen)度(du)學習之間,主要有什(shi)麼關系?...
發表于(yu) 03-16 11:35 ? 101次 閱讀(du)
人(ren)工智能、數據挖掘、機器學習和(he)深(shen)度(du)學習的關系

人(ren)工智能偵查有哪(na)些應用

【人(ren)工智能偵查的應用領域】
發表于(yu) 03-16 11:28 ? 84次 閱讀(du)
人(ren)工智能偵查有哪(na)些應用

半導ji)灞悶旨(zhi)?餛饔惺shi)麼cong)you)點?

半導ji)灞悶止燙寮?餛韉鬧zhong)類很多,可以(yi)是連(lian)續的、脈沖(chong)的、調Q的,以(yi)及加倍頻混頻等非線(xian)性轉換的。工作物質的形狀cong)性倉he)板條狀...
發表于(yu) 03-10 09:03 ? 125次 閱讀(du)
半導��ji)灞悶旨(zhi)?餛饔惺��shi)麼��cong)��you)點?

www.8839.com【即存即送】www.2324.comLM324LV 4 通道行業(ye)標準低(di)電壓運算(suan)放大器

LM3xxLV系列包(bao)括單個LM321LV,雙LM358LV和(he)四個LM324LVoperational放大器或運算(suan)放大器。這些器件(jian)采用2.7 V至5.5 V的低(di)電壓工作。 這些運算(suan)放大器是LM321,LM358和(he)LM324的替代產品,適shi)糜yu)對(dui)成本敏感(gan)的低(di)電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測(ce)器和(he)個人(ren)電子ying)貳LM3xxLV器件(jian)在低(di)電壓下lv) ┌M3xx器件(jian)更好的性能,並且功耗更低(di)。運算(suan)放大器在單位增益(yi)下穩定,在過(guo)驅動條件(jian)下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具(ju)有行業(ye)標準的封裝。這些封裝包(bao)括SOT-23,SOIC,VSSOP和(he)TSSOP封裝。 特性 用于(yu)成本敏感(gan)系di)車墓?ye)標準放大器 低(di)輸入失調電壓︰±1 mV 共模電壓範圍包(bao)括接地 單位增益(yi)帶寬︰1 MHz 低(di)寬帶噪聲︰40 nV /ˇ Hz < li>低(di)靜態電流︰90μA/Ch 單位增益(yi)穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和(he)四nai) 辣涮穩健(jian)的ESD規範︰2 kV HBM 擴展溫度(du)範圍︰-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與(yu)其它產品相比?通用 運算(suan)放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
發表于(yu) 01-08 17:51 ? 1026次 閱讀(du)
LM324LV 4 通道行業(ye)標準低(di)電壓運算(suan)放大器

TLV9052 5MHz、15-V/?s 高轉換率(lv) RRIO 運算(suan)放大器

TLV9051,TLV9052和(he)TLV9054器件(jian)分別(bie)是單,雙和(he)四運算(suan)放大器。這些器件(jian)針(zhen)對(dui)1.8 V至5.5 V的低(di)電壓工作進行了優(you)化(hua)。輸入和(he)輸出可以(yi)以(yi)非常(chang)高的壓擺率(lv)從(cong)軌(gui)到軌(gui)工作。這些器件(jian)非常(chang)適shi)糜yu)需要低(di)壓工作,高壓擺率(lv)和(he)低(di)靜態電流的成本受(shou)限應用。這些應用包(bao)括大型電器和(he)三(san)相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開(kai)環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易于(yu)使用,因(yin)為器件(jian)是統一的 - 增益(yi)穩定,包(bao)括一個RFI和(he)EMI濾波器,在過(guo)載條件(jian)下不會發生反相。 特性 高轉換率(lv)︰15 V /μs 低(di)靜態電流︰330μA 軌(gui)道-to-Rail輸入和(he)輸出 低(di)輸入失調電壓︰±0.33 mV 單位增益(yi)帶寬︰5 MHz 低(di)寬帶噪聲︰15 nV /ˇ Hz 低(di)輸入偏置(zhi)電流︰2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和(he)EMI濾波器 適shi)糜yu)低(di)成本應用的可擴展CMOS運算(suan)放大器系列 工作電壓gou)di)至1.8 V 由于(yu)電阻開(kai)環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展溫度(du)範圍︰-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與(yu)其它產品相比?通用 運算(suan)放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
發表于(yu) 01-08 17:51 ? 239次 閱讀(du)
TLV9052 5MHz、15-V/?s 高轉換率(lv) RRIO 運算(suan)放大器

TMP422-EP 增強(qiang)型產品,具(ju)有 N 因(yin)數和(he)串聯電阻校正(zheng)的 ±1°C 雙路(lu)遠程和(he)本地溫度(du)傳(chuan)感(gan)器

TMP422是具(ju)有內置(zhi)本地溫度(du)傳(chuan)感(gan)器的遠程溫度(du)傳(chuan)感(gan)器監視(shi)器。遠程溫度(du)傳(chuan)感(gan)器具(ju)有二(er)極管連(lian)接的晶體管 - 通常(chang)是低(di)成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理(li)器,或者FPGA組成部分的二(er)極管。 無需校準,對(dui)多生產商的遠程精度(du)是±1°C。這個2線(xian)串行接口接受(shou)SMBus寫字節,讀(du)字節,發送字節和(he)接收字節命令對(dui)此器件(jian)進行配置(zhi)。 TMP422包(bao)括串聯電阻抵消(xiao),可編程非理(li)想(xiang)性因(yin)子,大範圍遠程溫度(du)測(ce)量(高達150℃),和(he)二(er)極管錯誤檢測(ce)。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二(er)極管傳(chuan)感(gan)器(最大值) ±2.5°C本地溫度(du)傳(chuan)感(gan)器(最大值) 串聯電阻抵消(xiao) n-因(yin)子校正(zheng) 兩線(xian)/SMBus串口 多重接口地址 二(er)極管故障檢測(ce) RoHS兼容和(he)無Sb /Br 參數 與(yu)其它產品相比?數字溫度(du)傳(chuan)感(gan)器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
發表于(yu) 01-08 17:51 ? 198次 閱讀(du)
TMP422-EP 增強(qiang)型產品,具(ju)有 N 因(yin)數和(he)串聯電阻校正(zheng)的 ±1°C 雙路(lu)遠程和(he)本地溫度(du)傳(chuan)感(gan)器

www.5wk.com【逢八就送】www.604.comLP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路(lu)高電流降壓轉換器和(he)雙路(lu)線(xian)性穩壓器

LP8733xx-Q1專為滿足的電源(yuan)管理(li)要求(qiu)而設計,這些處理(li)器和(he)平台用于(yu)汽車應用中的閉環性能。該器件(jian)具(ju)有兩個可配置(zhi)為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和(he)兩個線(xian)性穩壓器以(yi)及通用數字輸出信號(hao)。該器件(jian)由I 2 C兼容串行接口和(he)使能信號(hao)進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操(cao)作與(yu)自動相位增加/減(jian)少相結合(he),可在較寬輸出電流範圍內最大限度(du)地提高效率(lv).LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(ce)(采用兩相配置(zhi)的差分),可補償穩壓器輸出與(yu)負載點(POL)之間的IR壓降,從(cong)而提高輸出電壓gou)木 du)。此外(wai),可以(yi)強(qiang)制開(kai)關時鐘進入PWM模式以(yi)及將其與(yu)外(wai)部時鐘同步,從(cong)而最大限度(du)地降低(di)干擾。 LP8733xx-Q1器件(jian)支持可編程啟(qi)動和(he)關斷延遲與(yu)排序(xu)(包(bao)括與(yu)使能信號(hao)同步的GPO信號(hao))。在啟(qi)動和(he)電壓變化(hua)期間,器件(jian)會對(dui)出轉換率(lv)進行控制,從(cong)而最大限度(du)地減(jian)小輸出電壓過(guo)沖(chong)和(he)浪涌kang)緦鰲特性 具(ju)有符合(he) AEC-Q100 標準的下列特性︰器件(jian)溫度(du) 1 級︰-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度(du)範圍輸入電壓︰2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器︰輸出電壓︰0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相采用兩相配置(zhi)的自動相位增加/減(jian)少和(he)強(qiang)制多相操(cao)作采用兩相配置(zhi)的遠...
發表于(yu) 01-08 17:51 ? 247次 閱讀(du)
LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路(lu)高電流降壓轉換器和(he)雙路(lu)線(xian)性穩壓器

TPS3840 具(ju)有手動復(fu)位和(he)可編程tan)次皇奔溲映俟δ艿暮廖  母呤淙氳繆辜囁仄/a>

TPS3840系列電壓監控器或復(fu)位IC可在高電壓下工作,同時在整(zheng)個V DD 上保持非常(chang)低(di)的靜態電流和(he)溫度(du)範圍。 TPS3840提供低(di)功耗,高精度(du)和(he)低(di)傳(chuan)播延遲的最佳組合(he)(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓gou)di)于(yu)負電壓閾值(V IT - )或手動復(fu)位拉低(di)邏(luo)輯(ji)(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯(zhi)後(V IT + )和(he)手動復(fu)位( MR )時,復(fu)位信號(hao)被清(qing)除)浮動或高于(yu)V MR _H ,復(fu)位時間延遲(t D )到期。可以(yi)通過(guo)在CT引腳和(he)地之間連(lian)接一個電容來編程tan)次謊郵薄6dui)于(yu)快(kuai)速復(fu)位,CT引腳可以(yi)懸空。 附加功能︰低(di)上電復(fu)位電壓(V POR ), MR 和(he)VDD的na)謚zhi)線(xian)路(lu)抗擾度(du)保護(hu),內置(zhi)遲滯(zhi),低(di)開(kai)漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測(ce)解決方案,適shi)糜yu)工業(ye)應用和(he)電池(chi)供電/低(di)功耗應用。 結果(guo) 結果(guo) 結果(guo) 結果(guo) 結果(guo) 結果(guo) 結果(guo) 結果(guo) 結果(guo) 結果(guo) 特性 寬工作電壓︰1.5 V至10 V 納米電源(yuan)電流︰350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從(cong)1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度(du)︰1%(典型值) 內置(zhi)滯(zhi)後(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≦3.1V= 100mV(典...
發表于(yu) 01-08 17:51 ? 434次 閱讀(du)
TPS3840 具(ju)有手動復(fu)位和(he)可編程��tan)次皇奔溲映俟δ艿暮廖  母呤淙氳繆辜囁仄�� /> </a></div><div class=

INA240-SEP 采用增強(qiang)型航天塑(su)料且具(ju)有增強(qiang)型 PWM 抑(yi)zhong)乒δ艿80V、高/低(di)側(ce)、零漂移(yi)電流檢測(ce)放大器

INA240-SEP器件(jian)是一款電壓輸出,電流檢測(ce)放大器,具(ju)有增強(qiang)kang)WM反射功能,能夠(gou)在寬共模電壓下檢測(ce)分流電阻上的壓降範圍為-4V至80V,與(yu)電源(yuan)電壓無關。負共模電壓允許器件(jian)在地下工作,適shi)Φ湫偷鞜歐?τ玫姆醇?奔洹EnhancedPWM抑(yi)zhong)莆 褂寐齔chong)寬度(du)調制(PWM)信號(hao)的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系di)常(chang)ㄈ緄緇 he)電磁閥控制系di)常(chang)┤ └咚 降囊yi)zhong)啤4斯δ芸墑迪xian)精確的電流測(ce)量,無需大的瞬態電壓和(he)輸出電壓上的相關恢zhi)fu)紋波。 該器件(jian)采用2.7 V至5.5 V單電源(yuan)供電,最大電源(yuan)電流為2.4 mA 。固定增益(yi)為20 V /V.零漂移(yi)架構gou)牡di)失調允許電流檢測(ce),分流器上的最大壓降低(di)至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事(shi)件(jian)閂鎖(SEL)免(mian)疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每(mei)次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強(qiang)塑(su)料 受(shou)控基線(xian) 金線(xian) NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和(he)測(ce)試現(xian)場 一個制造現(xian)場 可用于(yu)軍用(-55°C至125°C)溫度(du)範圍 ExtendedProduct生命周期 擴展產品更改nai)ㄖ產品可追溯性 用于(yu)低(di)釋(shi)氣的增強(qiang)型模具(ju)化(hua)合(he)物 增強(qiang)型PWM抑(yi)zhong)出色...
發表于(yu) 01-08 17:51 ? 153次 閱讀(du)
INA240-SEP 采用增強(qiang)型航天塑(su)料且具(ju)有增強(qiang)型 PWM 抑(yi)��zhong)乒δ艿��80V、高/低(di)側(ce)、零漂移(yi)電流檢測(ce)放大器

LM96000 具(ju)有集成風扇控制的硬(ying)件(jian)監控器

LM96000硬(ying)件(jian)監視(shi)器具(ju)有與(yu)SMBus 2.0兼容的雙線(xian)數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測(ce)量︰ 兩個遠程二(er)極管連(lian)接晶體管及其自身裸(luo)片的溫度(du) VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和(he)12V電源(yuan)(內部定標電阻)。 為了設置(zhi)風扇ren)俁du),LM96000有三(san)個PWM輸出,每(mei)個輸出由三(san)個溫度(du)區(qu)域之一控制。支持zhi)吆he)低(di)PWM頻率(lv)範圍。 LM96000包(bao)括一個數字濾波器,可調用該濾波器以(yi)平滑溫度(du)讀(du)數,從(cong)而更好地控制風扇ren)俁du)。 LM96000有四個轉速計輸入,用于(yu)測(ce)量風扇ren)俁du)。包(bao)括所有測(ce)量值的限制和(he)狀態寄(ji)存(cun)器。 特性 符合(he)SMBus 2.0標準的2線(xian)制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和(he)12V主板/處理(li)器電源(yuan) 監控2個遠程熱二(er)極管 基于(yu)溫度(du)讀(du)數的可編程自主風扇控制 風扇控制溫度(du)讀(du)數的噪聲過(guo)濾 1.0°C數字溫度(du)傳(chuan)感(gan)器分辨率(lv) 3 PWM風扇ren)俁du)控制輸出 提供高低(di)PWM頻率(lv)範圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線(xian) 24針(zhen)TSSOP封裝 XOR-tree測(ce)試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
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LM96000 具(ju)有集成風扇控制的硬(ying)件(jian)監控器

LM63 具(ju)有集成風扇控制的準確遠程二(er)極管數字溫度(du)傳(chuan)感(gan)器

LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二(er)極管溫度(du)傳(chuan)感(gan)器。 LM63精確測(ce)量︰hai))自身溫度(du)和(he)(2)二(er)極管連(lian)接的晶體管(如2N3904)或計算(suan)機處理(li)器,圖(tu)形處理(li)器單元(yuan)(GPU)和(he)其他ASIC上常(chang)見的熱敏二(er)極管的溫度(du)。 LM63遠程溫度(du)傳(chuan)感(gan)器的精度(du)針(zhen)對(dui)串聯電阻和(he)英(ying)特爾0.13μm奔ji)和(he)移(yi)動奔ji)處理(li)器-M熱敏二(er)極管的1.0021非理(li)想(xiang)性進行了工廠調整(zheng)。 LM63有一個偏移(yi)寄(ji)存(cun)器,用于(yu)校正(zheng)由其他熱二(er)極管的不同非理(li)想(xiang)因(yin)素引起的誤差。 LM63還具(ju)有集成的脈沖(chong)寬度(du)調制(PWM)開(kai)漏風扇控制輸出。風扇ren)俁du)是遠程溫度(du)讀(du)數,查找表和(he)寄(ji)存(cun)器設置(zhi)的組合(he)。 8步查找表使用mei) 芄gou)編程非線(xian)性風扇ren)俁du)與(yu)溫度(du)傳(chuan)遞函數,通常(chang)用于(yu)靜音聲學風扇噪聲。 特性 準確感(gan)應板載大型處理(li)器或ASIC上的二(er)極管連(lian)接2N3904晶體管或熱二(er)極管 準確感(gan)知其自身溫度(du)< /li> 針(zhen)對(dui)英(ying)特爾奔ji)和(he)移(yi)動奔ji)處理(li)器-M熱二(er)極管的工廠調整(zheng) 集成PWM風扇ren)俁du)控制輸出 使用用mei)?殺喑探檔di)聲學風扇噪音8 -Step查找表 用于(yu) ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用mei)?裳∫用于(yu)測(ce)量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用于(yu)測(ce)量kang)湫陀τ彌新(xin)齔chong)寬度(du)調制功率(lv)的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移(yi)寄(ji)存(cun)器可針(zhen)對(dui)...
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LM63 具(ju)有集成風扇控制的準確遠程二(er)極管數字溫度(du)傳(chuan)感(gan)器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和(he)雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳(chuan)感(gan)器

AWR1843器件(jian)是一款集成的單芯片FMCW雷達傳(chuan)感(gan)器,能夠(gou)在76至81 GHz頻段內工作。該器件(jian)采用TI的低(di)功耗45納米RFCMOS工藝(yi)制造,可在極小的nai)廡緯嘰縋謔迪xian)前(qian)所未cong)械募 啥du)。 AWR1843是汽車領域低(di)功耗,自監控,超(chao)精確雷達系di)車睦li)想(xiang)解決方案。 AWR1843器件(jian)是一款獨立(li)的FMCW雷達傳(chuan)感(gan)器單芯片解決方案,可簡化(hua)在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳(chuan)感(gan)器。它基于(yu)TI的低(di)功耗45納米RFCMOS工藝(yi),可實現(xian)具(ju)有內置(zhi)PLL和(he)A2D轉換器的3TX,4RX系di)車牡? 迪xian)。它集成了DSP子系di)常(chang) 渲邪bao)含TI的高性能C674x DSP,用于(yu)雷達信號(hao)處理(li)。該設備包(bao)括BIST處理(li)器子系di)常(chang) 涸鷂尷xian)電配置(zhi),控制和(he)校準。此外(wai),該器件(jian)還包(bao)括一個用mei)?殺喑RM R4F,用于(yu)汽車接口。硬(ying)件(jian)加速器模塊(HWA)可以(yi)執行雷達處理(li),並可以(yi)幫助在DSP上保存(cun)MIPS以(yi)獲得更高級別(bie)的算(suan)法。簡單的編程模型更改可以(yi)實現(xian)各種(zhong)傳(chuan)感(gan)器實現(xian)(短,中,長),並且可以(yi)動態重新(xin)配置(zhi)以(yi)實現(xian)多模傳(chuan)感(gan)器。此外(wai),該設備作為完整(zheng)的平台解決方案提供,包(bao)括參考硬(ying)件(jian)設計,軟件(jian)驅動程序(xu),示例配置(zhi),API指(zhi)南和(he)用mei) 牡怠特性 FMCW收發器 集成PLL,發送tui)鰨 郵..
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AWR1843 集成 DSP、MCU 和(he)雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳(chuan)感(gan)器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移(yi)、零交叉、真 RRIO 精密運算(suan)放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和(he)OPA4388)系列高精度(du)運算(suan)放大器是超(chao)低(di)噪聲,快(kuai)速穩定,零漂移(yi),零交叉器件(jian),可實現(xian)軌(gui)到軌(gui)輸入和(he)輸出運行。這些特性及優(you)異交流性能與(yu)僅為0.25μV的偏移(yi)電壓以(yi)及0.005μV/°C的溫度(du)漂移(yi)相結合(he),使OPAx388成為驅動高精度(du)模數轉換器(ADC)或緩沖(chong)高分辨率(lv)數模轉換器(DAC)輸出的理(li)想(xiang)選擇(ze)。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過(guo)程中實現(xian)優(you)異性能,不會降低(di)線(xian)性度(du).OPA388(單通道版(ban)本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和(he)SOIC-8三(san)種(zhong)封裝.OPA2388(雙通道版(ban)本)提供VSSOP-8和(he)SO-8兩種(zhong)封裝.OPA4388(四nai) 臘ban)本)提供TSSOP-14和(he)SO-14兩種(zhong)封裝。上述所有版(ban)本在-40°C至+ 125°C擴展工業(ye)溫度(du)範圍內額定運行。 特性 超(chao)低(di)偏移(yi)電壓︰±0.25μV 零漂移(yi)︰±0.005μV/°C 零交叉︰140dB CMRR實際RRIO 低(di)噪聲︰1kHz時為7.0nV /ˇ Hz 無1 /f噪聲︰140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快(kuai)速穩定︰2μs(1V至0.01%) 增益(yi)帶寬︰10MHz 單電源(yuan)︰2.5V至5.5V 雙電源(yuan)︰±1.25V至±2.75V 真實軌(gui)到軌(gui)輸入和(he)輸出 已(yi)濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業(ye)標...
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OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移(yi)、零交叉、真 RRIO 精密運算(suan)放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低(di)功耗、內置(zhi) EMI 濾波器的 RRIO 運算(suan)放大器

TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和(he)四nai) 澇慫suan)放大器是新(xin)一代低(di)功耗,通用運算(suan)放大器的典型代表。該系列器件(jian)具(ju)有軌(gui)到軌(gui)輸入和(he)輸出(RRIO)擺幅,低(di)靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常(chang)適shi)糜yu)需要在成本與(yu)性能間實現(xian)良(liang)好平衡的各類電池(chi)供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現(xian)1pA低(di)輸入偏置(zhi)電流,是高阻抗傳(chuan)感(gan)器的理(li)想(xiang)選擇(ze)。 TLVx314-Q1器件(jian)采用穩健(jian)耐(nai)用的設計,方jiang)愕緶lu)設計人(ren)員使用。該器件(jian)具(ju)有單位增益(yi)穩定性,支持軌(gui)到軌(gui)輸入和(he)輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和(he)EMI抑(yi)zhong)坡瞬ㄆ鰨 詮guo)驅條件(jian)下不會出現(xian)反相並且具(ju)有高靜電放電(ESD)保護(hu)(4kV人(ren)體模型(HBM))。 此類器件(jian)經(jing)過(guo)優(you)化(hua),適合(he)在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低(di)電壓狀態下工作並可在-40°C至+ 125°C的擴展工業(ye)溫度(du)範圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)采用5引腳SC70和(he)小外(wai)形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版(ban)本)采用8引腳小外(wai)形尺寸集成電路(lu)(SOIC)封裝和(he)超(chao)薄外(wai)形尺寸(VSSOP)封裝。四nai) LV4314-Q1采用14引腳薄型小外(wai)形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合(he)汽車類應用的要求(qiu) 具(ju)...
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TLV2314-Q1 3MHz、低(di)功耗、內置(zhi) EMI 濾波器的 RRIO 運算(suan)放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開(kai)關

DRV5021器件(jian)是一款用于(yu)高速應用的低(di)壓數字開(kai)關霍爾效應傳(chuan)感(gan)器。該器件(jian)采用2.5V至5.5V電源(yuan)工作,可檢測(ce)磁通密度(du),並根據預定義(yi)的磁閾值提供數字輸出。 該器件(jian)檢測(ce)垂直于(yu)封裝面的磁場。當施加的磁通密度(du)超(chao)過(guo)磁操(cao)作點(B OP )閾值時,器件(jian)的漏極開(kai)路(lu)輸出驅動低(di)電壓。當磁通密度(du)降低(di)到小于(yu)磁釋(shi)放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和(he)B RP 分離(li)產生的滯(zhi)後有助于(yu)防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種(zhong)配置(zhi)使系di)成杓聘憂qiang)大,可抵抗噪聲干擾。 該器件(jian)可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度(du)範圍內始(shi)終如一地工作。 特性 數字單極開(kai)關霍爾傳(chuan)感(gan)器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 範圍 磁敏感(gan)度(du)選項(B OP ,B RP )︰ DRV5021A1︰2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2︰9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3︰17.9 mT,14.1 mT 快(kuai)速30-kHz感(gan)應帶寬 開(kai)漏輸出能夠(gou)達到20 mA 優(you)化(hua)的低(di)壓架構 集成滯(zhi)後以(yi)增強(qiang)抗噪能力(li) 工作溫度(du)範圍︰-40° C至+ 125°C 標準工業(ye)封裝︰ 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與(yu)其它產品相比?霍爾效應鎖存(cun)器和(he)開(kai)關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開(kai)關

TLV1805-Q1 具(ju)有關斷功能的 40V 微功耗nai)僕焓狡道喔叩繆貢冉掀/a>

TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源(yuan)範圍,推(tui)挽輸出,軌(gui)到軌(gui)輸入,低(di)靜態電流,關斷的獨特組合(he)和(he)快(kuai)速輸出響(xiang)應。所有這些特性使該比較器非常(chang)適合(he)需要檢測(ce)正(zheng)或負電壓軌(gui)的應用,如智能二(er)極管控制器的反向(xiang)電流保護(hu),過(guo)流檢測(ce)和(he)過(guo)壓保護(hu)電路(lu),其中推(tui)挽輸出級用于(yu)驅動柵極p溝(gou)道或n溝(gou)道MOSFET開(kai)關。 高峰值電流推(tui)挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具(ju)有允許輸出主動驅動負載到電源(yuan)軌(gui)的優(you)勢具(ju)有快(kuai)速邊緣速率(lv)。這在MOSFET開(kai)關需要被驅動為高或低(di)以(yi)便將主機與(yu)意外(wai)高壓gou)繚yuan)連(lian)接或斷開(kai)的應用中尤(you)其有價值。低(di)輸入失調電壓,低(di)輸入偏置(zhi)電流和(he)高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠(gou)靈活,可以(yi)處理(li)幾乎任何(he)應用,從(cong)簡單的電壓檢測(ce)到驅動單個繼(ji)電器。 TLV1805-Q1符合(he)AEC-Q100標準,采用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度(du)範圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合(he)以(yi)下結果(guo)︰ DeviceTemperature 1級︰-40°C至+ 125°C環境溫度(du)工作溫度(du) 器件(jian)HBMESD分類等級2 器件(jian)CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源(yuan)範圍 低(di)靜態電流︰每(mei)個比較器150μA 兩個導軌(gui)以(yi)外(wai)的輸入共模範圍 相位反轉保護(hu) 推(tui) - 拉輸出 250ns傳(chuan)播延遲 低(di)輸入失...
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TLV1805-Q1 具(ju)有關斷功能的 40V 微功耗��nai)僕焓狡��道喔叩繆貢冉掀�� /> </a></div><div class=

TMP461-SP 耐(nai)輻射 (RHA) 高精度(du)遠程和(he)本地溫度(du)傳(chuan)感(gan)器

這個遠程溫度(du)傳(chuan)感(gan)器通常(chang)采用低(di)成本分立(li)式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二(er)極管,這些器件(jian)都是微處理(li)器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現(xian)場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件(jian)。本地和(he)遠程傳(chuan)感(gan)器均用12位數字編碼(ma)表示溫度(du),分辨率(lv)為0.0625°C。此兩線(xian)制串口接受(shou)SMBus通信協議,以(yi)及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件(jian)將諸(zhu)如串聯電阻抵消(xiao),可編程非理(li)想(xiang)性因(yin)子(η因(yin)子),可編程偏移(yi),可編程溫度(du)限制和(he)可編程數字濾波器等高級特性完美結合(he),提供了一套準確度(du)和(he)抗擾度(du)更高且穩健(jian)耐(nai)用的溫度(du)監控解決方案。 TMP461-SP是在各種(zhong)分布式遙測(ce)應用中進行多位置(zhi)高精度(du)溫度(du)測(ce)量kang)睦li)想(xiang)選擇(ze)這類集成式jiang)鏡睪he)遠程溫度(du)傳(chuan)感(gan)器可提供一種(zhong)zhi)虻?姆椒 床ce)量溫度(du)梯度(du),進而簡化(hua)了航天器維護(hu)活動。該器件(jian)的額定電源(yuan)電壓範圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度(du)範圍為-55 °C至125°C。 特性 符合(he)QMLV標準︰5962-1721801VXC 熱增強(qiang)型HKU封裝 經(jing)測(ce)試,在50rad /s的高劑量率(lv)(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離(li)輻射總劑量(TID) 經(jing)測(ce)試,在10mrad /s的低(di)劑量率(lv)(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離(li)輻射...
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TMP461-SP 耐(nai)輻射 (RHA) 高精度(du)遠程和(he)本地溫度(du)傳(chuan)感(gan)器

LP87524P-Q1 用于(yu) AWR 和(he) IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

LP87524B /J /P-Q1旨(zhi)在滿足各種(zhong)汽車電源(yuan)cong)τ彌凶鐶xin)處理(li)器和(he)平台的電源(yuan)管理(li)要求(qiu)。該器件(jian)包(bao)含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置(zhi)為4個單相輸出。該器件(jian)由I 2 C兼容串行接口和(he)enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操(cao)作可在寬輸出電流範圍內最大限度(du)地提高效率(lv)。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測(ce),以(yi)補償穩壓器輸出和(he)負載點(POL)之間的IR壓降,從(cong)而提高輸出電壓gou)木 du)。此外(wai),開(kai)關時鐘可以(yi)強(qiang)制為PWM模式,也可以(yi)與(yu)外(wai)部時鐘同步,以(yi)最大限度(du)地減(jian)少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件(jian)支持zhi)涸氐緦韃ce)量,無需增加外(wai)部kang)緦骷觳ce)電阻器。此外(wai),LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟(qi)動和(he)關閉延遲以(yi)及與(yu)信號(hao)同步的序(xu)列。這些序(xu)列還可以(yi)包(bao)括GPIO信號(hao),以(yi)控制外(wai)部穩壓器,負載開(kai)關和(he)處理(li)器復(fu)位。在啟(qi)動和(he)電壓變化(hua)期間,器件(jian)控制輸出壓擺率(lv),以(yi)最大限度(du)地減(jian)少輸出電壓過(guo)沖(chong)和(he)浪涌kang)緦鰲特性 符合(he)汽車應用要求(qiu) AEC-Q100符合(he)以(yi)下結果(guo)︰ 設備溫度(du)等級1︰-40°C至+ 125°C環境工作溫度(du) 輸入電壓︰2.8 V至5.5 V 輸出電壓︰0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核︰ 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率(lv)...
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LP87524P-Q1 用于(yu) AWR 和(he) IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

TAS2562 具(ju)有揚聲器 IV 檢測(ce)功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經(jing)過(guo)優(you)化(hua),能夠(gou)有效地將高峰值功率(lv)驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠(gou)在電壓為3.6 V的情(qing)況下向(xiang)6.1負載提供6.1 W的峰值功率(lv)。 集成揚聲器電壓和(he)電流檢測(ce)可實現(xian)對(dui)揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全(quan)操(cao)作區(qu)域的nai) 蓖tui)動峰值SPL。具(ju)有防止gou)艫緄牡緋chi)跟蹤峰值電壓限制器可優(you)化(hua)整(zheng)個充電周期內的放大器裕量,防止系di)徹乇鍘I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件(jian)共用一個公共總線(xian) 2 C接口。 TAS2562器件(jian)采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加you)quan)空閑信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率(lv)為20 - 20 kHz 83.5%效率(lv)為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和(he)電流檢測(ce) VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具(ju)有欠(qian)壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率(lv) 靈活的用mei)?緱I 2 S /TDM︰8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C︰4個可選擇(ze)的地址 MCLK免(mian)費操(cao)作 低(di)流行並點...
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TAS2562 具(ju)有揚聲器 IV 檢測(ce)功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

LM358B 雙路(lu)運算(suan)放大器

LM358B和(he)LM2904B器件(jian)是業(ye)界標準的LM358和(he)LM2904器件(jian)的下一代版(ban)本,包(bao)括兩個高壓(36V)操(cao)作放大器(運算(suan)放大器)。這些器件(jian)為成本敏感(gan)型應用提供了卓越的價值,具(ju)有低(di)失調(300μV,典型值),共模輸入接地範圍和(he)高差分輸入電壓能力(li)等特點。 LM358B和(he)LM2904B器件(jian)簡化(hua)電路(lu)設計具(ju)有增強(qiang)穩定性,3 mV(室(shi)溫下最大)的低(di)偏移(yi)電壓和(he)300μA(典型值)的低(di)靜態電流等增強(qiang)功能。 LM358B和(he)LM2904B器件(jian)具(ju)有高ESD(2 kV,HBM)和(he)集成的EMI和(he)RF濾波器,可用于(yu)最堅固,極具(ju)環境挑戰性的應用。 LM358B和(he)LM2904B器件(jian)采用微型封裝,例如TSOT-8和(he)WSON,以(yi)及行業(ye)標準封裝,包(bao)括SOIC,TSSOP和(he)VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源(yuan)範圍(B版(ban)) 供應 - 電流為300μA(B版(ban),典型值) 1.2 MHz的單位增益(yi)帶寬(B版(ban)) 普(pu)通 - 模式輸入電壓範圍包(bao)括接地,使能接地直接接地 25°C時低(di)輸入偏移(yi)電壓3 mV(A和(he)B型號(hao),最大值) 內部RF和(he)EMI濾波器(B版(ban)) 在符合(he)MIL-PRF-38535的產品fei)希 橇磧興得鰨 裨蛩脅問jing)過(guo)測(ce)試。在所有其他產品fei)希 庸?灰歡 bao)括所有參數的測(ce)試。 所...
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LM358B 雙路(lu)運算(suan)放大器

LP87565-Q1 具(ju)有集成開(kai)關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

LP8756x-Q1器件(jian)專為滿足各種(zhong)汽車電源(yuan)cong)τ彌凶鐶xin)處理(li)器和(he)平台的電源(yuan)管理(li)要求(qiu)而設計。該器件(jian)包(bao)含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置(zhi)為1個四相輸出,1個三(san)相和(he)1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和(he)2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件(jian)由I 2 C兼容串行接口和(he)使能信號(hao)進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操(cao)作( AUTO模式)與(yu)自動增相和(he)切相相結合(he),可在較寬輸出電流範圍內最大限度(du)地提高效率(lv).LP8756x-Q1支持對(dui)多相位輸出的遠程差分電壓檢測(ce),可補償穩壓器輸出與(yu)負載點(POL)之間的IR壓降,從(cong)而提高輸出電壓gou)木 du)。此外(wai),可以(yi)強(qiang)制開(kai)關時鐘進入PWM模式以(yi)及將其與(yu)外(wai)部時鐘同步,從(cong)而最大限度(du)地降低(di)干擾。 LP8756x- Q1器件(jian)支持在不添加外(wai)部kang)緦骷觳ce)電阻器的情(qing)況下進行負載電這個序(xu)列可能包(bao)括用于(yu)控制外(wai)部穩壓器,負載開(kai)關和(he)處理(li)器復(fu)位的GPIO信號(hao)。在啟(qi)動和(he)電壓變化(hua)期間,該器件(jian)會對(dui)輸出壓擺率(lv)進行控制,從(cong)而最大限度(du)地減(jian)小輸出電壓過(guo)沖(chong)和(he)浪涌kang)緦鰲特性 符合(he)汽車類標準 具(ju)有符合(he)AEC-Q100標準的下列特性︰ 器件(jian)溫度(du)1級︰-40℃至+ 125℃的環境運行溫度(du)範圍 器件(jian)HBM ESD分類等級2 器件(jian)CDM ES...
發表于(yu) 01-08 17:51 ? 239次 閱讀(du)
LP87565-Q1 具(ju)有集成開(kai)關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

www.3a.com【逢八就送】www.8867.comLM2902LV 行業(ye)標準、低(di)電壓放大器

LM290xLV系列包(bao)括雙路(lu)LM2904LV和(he)四路(lu)LM2902LV運算(suan)放大器。這些器件(jian)由2.7V至5.5V的低(di)電壓供電。 這些運算(suan)放大器可以(yi)替代低(di)電壓應用中的成本敏感(gan)型LM2904和(he)LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測(ce)器和(he)個人(ren)電子ying)LM290xLV器件(jian)在低(di)電壓下可提供比LM290x器件(jian)更佳的性能,並且功能耗盡。這些運算(suan)放大器具(ju)有單位增益(yi)穩定性,並且yi)詮guo)驅情(qing)況下不會出現(xian)相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列采用行業(ye)標準封裝。這些封裝包(bao)括SOIC,VSSOP和(he)TSSOP封裝。 特性 適shi)糜yu)成本敏感(gan)型系di)車墓?ye)標準放大器 低(di)輸入失調電壓︰±1mV < LI>共模電壓範圍包(bao)括接地 單位增益(yi)帶寬︰1MHz的 低(di)寬帶噪聲︰40nV /ˇ赫茲 低(di)靜態電流︰90μA/通道 單位增益(yi)穩定 可在2.7V至5.5V的電源(yuan)電壓下運行 提供雙通道和(he)四nai) 佬禿hao)< /li> 嚴(yan)格的ESD規格︰2kV HBM 擴展溫度(du)範圍︰-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與(yu)其它產品相比?通用 運算(suan)放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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LM2902LV 行業(ye)標準、低(di)電壓放大器

LP87561-Q1 具(ju)有集成開(kai)關的四相 16A 降壓轉換器

LP8756x-Q1器件(jian)專為滿足各種(zhong)汽車電源(yuan)cong)τ彌凶鐶xin)處理(li)器和(he)平台的電源(yuan)管理(li)要求(qiu)而設計。該器件(jian)包(bao)含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置(zhi)為1個四相輸出,1個三(san)相和(he)1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和(he)2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件(jian)由I 2 C兼容串行接口和(he)使能信號(hao)進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操(cao)作( AUTO模式)與(yu)自動增相和(he)切相相結合(he),可在較寬輸出電流範圍內最大限度(du)地提高效率(lv).LP8756x-Q1支持對(dui)多相位輸出的遠程差分電壓檢測(ce),可補償穩壓器輸出與(yu)負載點(POL)之間的IR壓降,從(cong)而提高輸出電壓gou)木 du)。此外(wai),可以(yi)強(qiang)制開(kai)關時鐘進入PWM模式以(yi)及將其與(yu)外(wai)部時鐘同步,從(cong)而最大限度(du)地降低(di)干擾。 LP8756x- Q1器件(jian)支持在不添加外(wai)部kang)緦骷觳ce)電阻器的情(qing)況下進行負載電這個序(xu)列可能包(bao)括用于(yu)控制外(wai)部穩壓器,負載開(kai)關和(he)處理(li)器復(fu)位的GPIO信號(hao)。在啟(qi)動和(he)電壓變化(hua)期間,該器件(jian)會對(dui)輸出壓擺率(lv)進行控制,從(cong)而最大限度(du)地減(jian)小輸出電壓過(guo)沖(chong)和(he)浪涌kang)緦鰲特性 符合(he)汽車類標準 具(ju)有符合(he)AEC-Q100標準的下列特性︰ 器件(jian)溫度(du)1級︰-40℃至+ 125℃的環境運行溫度(du)範圍 器件(jian)HBM ESD分類等級2 器件(jian)CDM ES...
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LP87561-Q1 具(ju)有集成開(kai)關的四相 16A 降壓轉換器
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